Собственная концентрация в полупроводниковых материалах | Электронные приборы и схемы - EDC

Описание: Собственная концентрация в полупроводниковых материалах электронных устройств объясняется с помощью следующих таймкодов:

0:00 — Собственная концентрация в полупроводниковых материалах — Электронные устройства
0:26 — Основы собственной концентрации в полупроводниковых материалах
2:52 — Расчет собственной концентрации в полупроводниковых материалах
9:51 — Параметры собственной концентрации в полупроводниковых материалах

В этом видео рассматриваются следующие темы:
0. Электронные приборы / Основы электроники
1. Собственная концентрация в полупроводниковых материалах
2. Основы собственной концентрации в полупроводниковых материалах
3. Расчет собственной концентрации в полупроводниковых материалах
4. Параметры собственной концентрации в полупроводниковых материалах

Подробная программа курса «Электронные приборы — EDC» по главам выглядит следующим образом:

Глава 1. Энергетические зоны и полупроводники:    • Energy Bands and Semiconductors in Electro...  
Энергетические зоны и классификация твердых материалов, Типы полупроводниковых материалов, Дрейфовый и диффузионный ток, Закон действующих масс, Примеры полупроводниковых материалов, Примеры дрейфового и диффузионного тока, Примеры проводимости и удельного сопротивления, Соотношение Эйнштейна в полупроводниках, Примеры соотношения Эйнштейна в полупроводниках, Распределение Ферми-Дирака в полупроводниках, Концентрация электронов в зоне проводимости и концентрация дырок в валентной зоне, Собственная концентрация в полупроводниках, Скорость дрейфа и свободная скорость, Уровень энергии Ферми в собственном полупроводнике, Уровень энергии Ферми в примесном полупроводнике, Эффект Холла в полупроводниках, Примеры эффекта Холла в полупроводниках, Энергия и длина волны генерации и рекомбинации, Примеры энергии и длины волны генерации и рекомбинации, Генерация и рекомбинация, вызванные к равномерному освещению, примеры генерации и рекомбинации, диаграмма энергетических зон, примеры диаграммы энергетических зон, уравнение непрерывности, полупроводник с прямой и непрямой запрещенной зоной.

Глава 2. P-N-переход:    • PN Junction in Electronic Devices  
P-N-переход в равновесном состоянии, диаграмма энергетических зон P-N-перехода, напряжение отключения P-N-перехода, электрическое поле P-N-перехода, ширина обеднённой области P-N-перехода, примеры P-N-перехода, P-N-переход при прямом смещении, P-N-переход при обратном смещении, идеальный и практический диоды, номинальные характеристики диодов, тестирование диодов и проверка их качества, влияние температуры на P-N-переход, примеры диодных схем, ёмкость P-N-перехода, примеры ёмкости P-N-перехода, коммутационные характеристики P-N-перехода.

Глава 3. Специальные диоды:    • Special Diodes in Electronic Devices  
Светодиод — светодиод, примеры светодиодов, варикапов, туннельных диодов, примеров туннельных диодов, фотодиодов, солнечных элементов, примеров солнечных элементов.

Глава 4. Биполярный транзистор:    • BJT in Electronic Devices  
Параметры биполярного транзистора в равновесном состоянии, рабочие области биполярного транзистора, применение биполярного транзистора и ширина базы биполярного транзистора, биполярный транзистор в активной области, распределение носителей заряда в биполярном транзисторе в различных режимах, модель биполярного транзистора Эберса-Молла, ранний эффект, конфигурация биполярного транзистора с общей базой, конфигурация биполярного транзистора с общим эмиттером, пробивной эффект в биполярном транзисторе, примеры биполярного транзистора.

Глава 5 MOSCAP:    • MOSCAP in Electronic Devices  
MOSCAP, МОП-конденсатор, идеальный MOSCAP, напряжение плоской зоны в MOSCAP, MOSCAP при внешнем смещении, MOSCAP в режиме накопления, MOSCAP в режиме обеднения, MOSCAP в режиме инверсии, пороговое напряжение MOSCAP, инверсионный заряд MOSCAP, вольт-амперные характеристики MOSCAP, примеры MOSCAP.

Глава 6. МОП-транзистор:    • MOSFET in Electronic Devices  
МОП-транзистор, ВАХ МОП-транзистора, Модуляция длины канала МОП-транзистора, Модель МОП-транзистора в условиях малого сигнала, Крутизна и сопротивление стока МОП-транзистора, Эффект объёма в МОП-транзисторе, Примеры МОП-транзисторов, Примеры технологий интегральных схем.

Глава 7. Эксперименты с электроникой:    • Electronics Experiments  
Использование функционального генератора в MULTISIM, ВАХ диода с p-n-переходом в MULTISIM, Характеристики стабилитрона в MULTISIM, Однополупериодный выпрямитель в MULTISIM, Двухполупериодный выпрямитель в MULTISIM, Мостовой выпрямитель в MULTISIM, Логические вентили в MULTISIM, Схемы ограничения в MULTISIM, Характеристики биполярного транзистора с общим эмиттером в MULTISIM, Частотная характеристика усилителя с общим эмиттером в MULTISIM, Характеристики полевых транзисторов в MULTISIM

Канал...