DC Characteristics of 45nm NMOS
Автор: Microelectronics
Загружено: 2021-09-11
Просмотров: 2866
Описание: Prof. Tony Chan Carusone simulates the DC IV characteristics of a MOSFET in triode, saturation, and subthreshold operation. Transistor parameters such as the threshold voltage and threshold voltage are extracted, and key short-channel effects such as DIBL are highlighted.
Повторяем попытку...

Доступные форматы для скачивания:
Скачать видео
-
Информация по загрузке: