台積電重磅突破！功耗僅1%的SOT-MRAM陣列芯片問世，AI記憶體革命即將引爆，顛覆三星霸主地位？
Автор: 樂播
Загружено: 2026-01-09
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台積電重磅突破！功耗僅1%的SOT-MRAM陣列芯片問世，AI記憶體革命即將引爆，顛覆三星霸主地位？
★ 台灣科技新突破：台積電攜手工研院研發 SOT-MRAM
一場記憶體技術的革命正在台灣悄然展開！全球晶圓代工龍頭台積電，與工業技術研究院（工研院）合作，開發出自旋軌道轉矩磁阻隨機存取存儲器（SOT-MRAM），這是一種兼具非揮發性、高速讀寫與極低功耗的新型記憶體，有望顛覆現有存儲架構，重新定義AI時代計算效率！
★ 技術亮點：量子自旋驅動，功耗僅 STT-MRAM 的 1%
基於自旋軌道轉矩效應，利用電子自旋特性實現數據存儲與切換。
相較傳統 DRAM 需要持續刷新、NAND 閃存讀寫速度受限，SOT-MRAM 斷電後數據不丟失，寫入速度可達納秒級，功耗大幅降低（僅傳統方案的 1%），耐用性無限循環潛力巨大。
已在 IEDM 2023 國際會議發表相關論文，實測陣列芯片展現高速、低功耗與存算一體潛力。
★ 產業意義：打破內存牆，加速 AI 與高性能計算
AI 時代，處理器運算飛速提升，但記憶體瓶頸（內存牆）限制系統效率。
SOT-MRAM 可作為高速緩存或存算一體層級，減少數據移動、降低能耗，提升數據中心、自動駕駛、移動設備整體性能。
台灣生態優勢：台積電先進制程 + 工研院基礎研究，攜手挑戰三星、SK 海力士、美光等記憶體巨頭主導格局。
★ 應用前景：從數據中心到車載電子，無所不在
大型服務器：大幅降低數據傳輸能耗，提升 AI 訓練/推理效率。
移動設備：零待機功耗，顯著延長電池續航。
汽車電子：高溫、高可靠性，適合自動駕駛實時處理需求。
★ 未來展望：台灣模式引領下一代記憶體革命
這項技術仍處於研發階段，但已展現量產潛力。台積電持續探索更先進節點整合，結合生態鏈優勢，有望在全球記憶體市場占據關鍵位置。
聯合國與國際組織高度關注類似創新，中國台灣正以智能技術輸出經驗，貢獻全球乾旱計算資源治理（比喻內存牆問題）。
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