ycliper

Популярное

Музыка Кино и Анимация Автомобили Животные Спорт Путешествия Игры Юмор

Интересные видео

2025 Сериалы Трейлеры Новости Как сделать Видеоуроки Diy своими руками

Топ запросов

смотреть а4 schoolboy runaway турецкий сериал смотреть мультфильмы эдисон
Скачать

Параллельное подключение нескольких MOSFET-транзисторов с использованием оптимизированной техноло...

Автор: Nexperia

Загружено: 2020-11-18

Просмотров: 10304

Описание: Представлено на выставке Electronica 2020

В мощных приложениях, таких как управление двигателями, одного MOSFET может быть недостаточно — поэтому параллельное соединение MOSFET становится необходимым решением. Для достижения надежной конструкции, которая равномерно распределяет нагрузку между устройствами, обычно требуется, чтобы производители полупроводников предоставляли компоненты с согласованными пороговыми напряжениями. Однако даже при очень строго контролируемых производственных мощностях неизбежно происходит разброс порогового напряжения по всей пластине. Любые усилия по обеспечению согласованного порогового напряжения потребуют специальной сортировки и отбора, что может привести к снижению выхода годных изделий, а следовательно, и к увеличению стоимости поставляемых устройств. Компания Nexperia разработала новый уникальный MOSFET с улучшенной способностью распределения тока при параллельном соединении, который больше не зависит от согласованных пороговых напряжений.

Докладчик: Стейн Несбакк, инженер по применению

Не удается загрузить Youtube-плеер. Проверьте блокировку Youtube в вашей сети.
Повторяем попытку...
Параллельное подключение нескольких MOSFET-транзисторов с использованием оптимизированной техноло...

Поделиться в:

Доступные форматы для скачивания:

Скачать видео

  • Информация по загрузке:

Скачать аудио

Похожие видео

Paralleling MOSFETs in high power applications

Paralleling MOSFETs in high power applications

SiC FETs: Easily Driving Higher Power Density

SiC FETs: Easily Driving Higher Power Density

Nexperia’s Small-signal MOSFETs for portable and mobile applications

Nexperia’s Small-signal MOSFETs for portable and mobile applications

MOSFET body-diode behaviour, Optimising Qrr & VSD to give efficiency gains & reduced spiking

MOSFET body-diode behaviour, Optimising Qrr & VSD to give efficiency gains & reduced spiking

Как на самом деле работает повышающий преобразователь (объяснение, которого вы так и не получили)

Как на самом деле работает повышающий преобразователь (объяснение, которого вы так и не получили)

Орешник это модернизированный Рубеж? И как украинцы узнали об ударе 9 января заранее?

Орешник это модернизированный Рубеж? И как украинцы узнали об ударе 9 января заранее?

Че-Вэй Чанг — Метод пассивной балансировки для динамического распределения тока в параллельно сое...

Че-Вэй Чанг — Метод пассивной балансировки для динамического распределения тока в параллельно сое...

Возможно ли создать компьютеры с техпроцессом меньше 1 нм

Возможно ли создать компьютеры с техпроцессом меньше 1 нм

MOSFETs with extraordinary SOA for industrial applications

MOSFETs with extraordinary SOA for industrial applications

Пример SOA на MOSFET, моделирование SOA и предварительного заряда конденсатора

Пример SOA на MOSFET, моделирование SOA и предварительного заряда конденсатора

Fundamentals of ESD protection

Fundamentals of ESD protection

Сварщик изобрел замок без ключа! Это простое изобретение может изменить всё.

Сварщик изобрел замок без ключа! Это простое изобретение может изменить всё.

Что такое SOA МОП-транзистора? Зона безопасной работы МОП-транзистора | Тепловой коэффициент МОП-...

Что такое SOA МОП-транзистора? Зона безопасной работы МОП-транзистора | Тепловой коэффициент МОП-...

Как подключить MOSFET-транзисторы параллельно

Как подключить MOSFET-транзисторы параллельно

Как Погиб Русский Крейсер

Как Погиб Русский Крейсер "Паллада"? Рассказ Очевидцев. Аудиокнига

ИС-4: Самый защищённый танк в истории СССР!

ИС-4: Самый защищённый танк в истории СССР!

Power Electronics WK3_2 MOSFET Turn On Characteristics

Power Electronics WK3_2 MOSFET Turn On Characteristics

Расчет оптимального резонансного контура в нагрузке каскада. Какую схему УПЧ лучше применить.

Расчет оптимального резонансного контура в нагрузке каскада. Какую схему УПЧ лучше применить.

Understanding MOSFET datasheets: Current Ratings

Understanding MOSFET datasheets: Current Ratings

Optimizing SiC MOSFET Module Paralleling for Enhanced Power Efficiency | Infineon

Optimizing SiC MOSFET Module Paralleling for Enhanced Power Efficiency | Infineon

© 2025 ycliper. Все права защищены.



  • Контакты
  • О нас
  • Политика конфиденциальности



Контакты для правообладателей: [email protected]