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삼성 ‘비밀병기’에 자사 칩 전면 탑재…3나노 시험대 [말하는 기자들_산업_0711]

tsmc, 인텔, 삼성 파운드리 2나노 시대... 서로 다른 GAA 구조 차이점 | Nano Sheet, Nano Wire | MBCFET, RibbonFET

게이트-올-어라운드 트랜지스터 엔지니어링

12 - FinFET 3D 트랜지스터, 벌크/SOI FinFET, Tri-Gate, GAA, S/D 에피택시

'IT의 신'이 꼽은 제2의 ’한미반도체‘는?

GAA삼성파운드리의 미래

미래 집적 회로를 위한 3D 트랜지스터 ||ECE/VLSI 세미나 주제 || GAAFET|| FINFET|| MBCFET

삼성 3NM 게이트 올 어라운드 칩 생산 설계: 알아야 할 모든 것

아직 게임은 끝나지 않았다. 삼성파운드리의 3나노 게이트올어라운드에 대해

고급 공정 기술 - 2부: FinFET 제작

차세대 트랜지스터

3D로 알아보는 GAA (Gate-all-Around)공정 방법

삼성, 삼성 파운드리 포럼 2021에서 연속 공정 기술 전환 계획 공개

EUV를 넘어 GAA로 TSMC에 맞선다. 삼성 파운드리의 미래 비전, 3나노와 게이트 올 어라운드

올 어라운드 게이트 래치